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近年來，奧特維旗下控股子公司松瓷機電持續深耕半導體晶體生長設備，先后推出硅部件爐、IC級半導體單晶爐、純化爐、6 / 8/ 12英寸碳化硅長晶爐及區熔爐等多款核心設備，為客戶提供系統的半導體解決方案。

半導體單晶爐

·坩堝升降速度(慢速)：

調速范圍:0~120mm/h；精度:0.012 mm/h；

·坩堝旋轉速度：

調速范圍:0.01~20.00rpm；精度:0.001rpm；

·籽晶升降速度(慢速)：

調速范圍:0.1~400mm/h；精度:0.05 mm/h；

·籽晶旋轉速度：

調速范圍:0.01~30.00rpm；精度:0.001rpm；擺幅:±1.5mm；

柜式碳化硅長晶爐

·控壓/控溫精度(°C)：±1Pa/±0.2°C；

·極限真空度(Pa)：≤5×10??Pa(1.5h抽空數據)；

區熔爐

·長晶最大行程：2500mm；

·拉晶速度：0-30mm/min可調；

·快速升降：600mm/min；

·主軸軸端最小晶向跳動：≤0.15mm；